Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Mexico
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Mexico
Cambiar:
Inglés
Europa
Reino Unido
Francia
España
Turquía
Moldavia
Lituania
Noruega
Alemania
Portugal
Eslovaquia
ltaly
Finlandia
Ruso
Bulgaria
Dinamarca
Estonia
Polonia
Ucrania
Eslovenia
Checo
Griego
Croacia
Israel
Serbia
Bielorrusia
Países Bajos
Suecia
Montenegro
Vasco
Islandia
Bosnia
Húngaro
Rumania
Austria
Bélgica
Irlanda
Asia / Pacífico
China
Vietnam
Indonesia
Tailandia
Laos
Filipino
Malasia
Corea
Japón
Hong-kong
Taiwán
Singapur
Pakistán
Arabia Saudí
Qatar
Kuwait
Camboya
Myanmar
África, India y Oriente Medio
Emiratos Árabes Unidos
Tayikistán
Madagascar
India
Irán
República Democrática del Congo
Sudáfrica
Egipto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marruecos
Túnez
América del Sur / Oceanía
Nueva Zelanda
Angola
Brasil
Mozambique
Perú
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
América del Norte
Estados Unidos
Haití
Canadá
Costa Rica
México
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
SCT3105KW7TL
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
SCT3105KW7TL-DG
Descripción:
SICFET N-CH 1200V 23A TO263-7
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 23A (Tc) 125W Surface Mount TO-263-7
Inventario:
1925 Pcs Nuevos Originales En Stock
12954646
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SCT3105KW7TL Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
23A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
137mOhm @ 7.6A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
5.6V @ 3.81mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
51 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
574 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263-7
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base
SCT3105
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
846-SCT3105KW7TLDKR
846-SCT3105KW7TLCT
846-SCT3105KW7TLTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
ZVN3306A
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
NTBGS2D5N06C
POWER MOSFET, 60 V, 2.5 M?, 224
SUD50N02-04P-E3
MOSFET N-CH 20V 50A TO252
IQE013N04LM6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON