Número de Producto del Fabricante:
US6J11TR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
US6J11TR-DG
Descripción:
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Descripción Detallada:
Mosfet Array 12V 1.3A 320mW Surface Mount TUMT6
Inventario:
5885 Pcs Nuevos Originales En Stock
13527012
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ENVIAR
US6J11TR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.3A
rds activados (máx.) @ id, vgs
260mOhm @ 1.3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
290pF @ 6V
Potencia - Máx.
320mW
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-SMD, Flat Leads
Paquete de dispositivos del proveedor
TUMT6
Número de producto base
US6J11
Hoja de Datos y Documentos
Recursos de diseño
Documentos de confiabilidad
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
US6J11DKR
US6J11CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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