Número de Producto del Fabricante:
2N6660
Product Overview
Fabricante:
Solid State Inc.
Número de pieza:
2N6660-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 1.1A (Tc) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventario:
3575 Pcs Nuevos Originales En Stock
12974056
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ENVIAR
2N6660 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Manufacturers
Embalaje
Box
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Vgs (máx.)
±40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
6.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-39
Paquete / Caja
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
10
Otros nombres
2383-2N6660
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Certificación DIGI
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