SCT20N120
Número de Producto del Fabricante:

SCT20N120

Product Overview

Fabricante:

STMicroelectronics

Número de pieza:

SCT20N120-DG

Descripción:

SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) Through Hole HiP247™

Inventario:

580 Pcs Nuevos Originales En Stock
12878528
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SCT20N120 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
290mOhm @ 10A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
45 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
650 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
175W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
HiP247™
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SCT20

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
SCT20N120 Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver

Información Adicional

Paquete Estándar
30
Otros nombres
497-15170

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Productos relacionados
stmicroelectronics

STB5NK50ZT4

MOSFET N-CH 500V 4.4A D2PAK

stmicroelectronics

STI17NF25

MOSFET N-CH 250V 17A I2PAK

stmicroelectronics

STB50NE10T4

MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK

stmicroelectronics

STD40NF03LT4

MOSFET N-CH 30V 40A DPAK