SCT50N120
Número de Producto del Fabricante:

SCT50N120

Product Overview

Fabricante:

STMicroelectronics

Número de pieza:

SCT50N120-DG

Descripción:

SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™

Inventario:

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SCT50N120 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
65A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
69mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
122 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1900 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
318W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
HiP247™
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SCT50

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
SCT50N120 Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver

Información Adicional

Paquete Estándar
30
Otros nombres
-1138-SCT50N120
497-16598-5

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
G3R40MT12D
FABRICANTE
GeneSiC Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
1725
NÚMERO DE PIEZA
G3R40MT12D-DG
PRECIO UNITARIO
12.88
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
MSC040SMA120B
FABRICANTE
Microchip Technology
CANTIDAD DISPONIBLE
61
NÚMERO DE PIEZA
MSC040SMA120B-DG
PRECIO UNITARIO
16.98
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
certification_01
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cr
certification_015
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esd
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