Número de Producto del Fabricante:
SCTW40N120G2V
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
SCTW40N120G2V-DG
Descripción:
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 278W (Tc) Through Hole HiP247™
Inventario:
12950523
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SCTW40N120G2V Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
36A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
4.9V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1233 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
278W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
HiP247™
Paquete / Caja
TO-247-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
497-SCTW40N120G2V
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
MSC080SMA120B
FABRICANTE
Microchip Technology
CANTIDAD DISPONIBLE
143
NÚMERO DE PIEZA
MSC080SMA120B-DG
PRECIO UNITARIO
8.97
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
STL260N4LF7
N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP.
SCTH70N120G2V-7
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
SCTL90N65G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650