Número de Producto del Fabricante:
SCTWA35N65G2VAG
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
SCTWA35N65G2VAG-DG
Descripción:
SICFET N-CH 650V 45A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 45A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
Inventario:
12939202
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ENVIAR
SCTWA35N65G2VAG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
45A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
18V, 20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
72mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
3.2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
73 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1370 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247 Long Leads
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SCTWA35
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
600
Otros nombres
497-SCTWA35N65G2VAG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
MSC060SMA070B
FABRICANTE
Microchip Technology
CANTIDAD DISPONIBLE
26
NÚMERO DE PIEZA
MSC060SMA070B-DG
PRECIO UNITARIO
6.90
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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