STB100N6F7
Número de Producto del Fabricante:

STB100N6F7

Product Overview

Fabricante:

STMicroelectronics

Número de pieza:

STB100N6F7-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

1346 Pcs Nuevos Originales En Stock
12870333
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

STB100N6F7 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
STripFET™ F7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1980 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
STB100

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
497-15894-2
497-15894-1
497-15894-6

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
stmicroelectronics

STB155N3H6

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

stmicroelectronics

STP6NK70Z

MOSFET N-CH 700V 5A TO220AB

vishay-siliconix

TP0610K-T1-GE3

MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3

nxp-semiconductors

BUK7619-100B,118

MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK