Número de Producto del Fabricante:
STB11NM60-1
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STB11NM60-1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventario:
12880578
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ENVIAR
STB11NM60-1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
MDmesh™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
450mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
160W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
STB11N
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
STB11NM60-1-DG
497-5379-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FCI7N60
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
990
NÚMERO DE PIEZA
FCI7N60-DG
PRECIO UNITARIO
1.21
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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