Número de Producto del Fabricante:
STD18N65M2-EP
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STD18N65M2-EP-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
12943592
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ENVIAR
STD18N65M2-EP Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
375mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
700 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
497-STD18N65M2-EPTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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