Número de Producto del Fabricante:
STH10N80K5-2AG
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STH10N80K5-2AG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 8A H2PAK-2
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 121W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Inventario:
995 Pcs Nuevos Originales En Stock
12978107
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ENVIAR
STH10N80K5-2AG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
680mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
426 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
121W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
H2PAK-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
STH10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
497-STH10N80K5-2AGCT
497-STH10N80K5-2AGDKR
497-STH10N80K5-2AGTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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