Número de Producto del Fabricante:
STH110N7F6-2
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STH110N7F6-2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
Descripción Detallada:
N-Channel 68 V 80A (Tc) 176W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventario:
12948099
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ENVIAR
STH110N7F6-2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
STripFET™ F6
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
68 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.3mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5850 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
176W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
H2PAK-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
STH110
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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