Número de Producto del Fabricante:
STH185N10F3-6
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STH185N10F3-6-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Inventario:
12879305
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ENVIAR
STH185N10F3-6 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
STripFET™ F3
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
114.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6665 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
315W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
H2PAK-6
Paquete / Caja
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Número de producto base
STH185
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
497-15469-2
497-15469-1
-497-15469-1
-497-15469-2
-497-15469-6
497-15469-6
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPB017N10N5LFATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
9941
NÚMERO DE PIEZA
IPB017N10N5LFATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
4.25
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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