Número de Producto del Fabricante:
STH260N6F6-6
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STH260N6F6-6-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Inventario:
12877686
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
STH260N6F6-6 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VI
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
183 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11800 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
H2PAK-6
Paquete / Caja
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Número de producto base
STH260
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
STH260N6F6-6-DG
497-15144-1
497-15144-2
497-15144-6
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPB017N06N3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
9000
NÚMERO DE PIEZA
IPB017N06N3GATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.54
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
STL17N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
STW37N60DM2AG
MOSFET N-CH 600V 28A TO247
STF34NM60ND
MOSFET N-CH 600V 29A TO220FP
