Número de Producto del Fabricante:
STH30N65DM6-7AG
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STH30N65DM6-7AG-DG
Descripción:
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 28A (Tc) 223W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Inventario:
235 Pcs Nuevos Originales En Stock
12993145
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
STH30N65DM6-7AG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ DM2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
28A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
115mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.75V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2000 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
223W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
H2PAK-7
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
497-STH30N65DM6-7AGCT
497-STH30N65DM6-7AGDKR
497-STH30N65DM6-7AGTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SIR578DP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
SI8810-TP
Interface
2N7002-13P
Interface
