Número de Producto del Fabricante:
STH315N10F7-2
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STH315N10F7-2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventario:
880 Pcs Nuevos Originales En Stock
12878823
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
STH315N10F7-2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VII
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
12800 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
315W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
H2PAK-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
STH315
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
497-14718
497-14718-1
497-14718-2
497-14718-6
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
STP2NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB
STP100N6F7
MOSFET N-CH 60V 100A TO220
STS20N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO