Número de Producto del Fabricante:
STI34N65M5
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STI34N65M5-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 28A I2PAKFP
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 28A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
Inventario:
991 Pcs Nuevos Originales En Stock
12880287
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ENVIAR
STI34N65M5 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
MDmesh™ V
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
28A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
110mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
62.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2700 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-281 (I2PAKFP)
Paquete / Caja
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Número de producto base
STI34N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
497-13439
-497-13439
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STP34N65M5
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
241
NÚMERO DE PIEZA
STP34N65M5-DG
PRECIO UNITARIO
2.82
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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