Número de Producto del Fabricante:
STI6N80K5
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STI6N80K5-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 4.5A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventario:
12881221
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ENVIAR
STI6N80K5 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
SuperMESH5™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.6Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
255 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
85W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262 (I2PAK)
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
STI6
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
497-15017-5
-497-15017-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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