Número de Producto del Fabricante:
STI90N4F3
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STI90N4F3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventario:
12879672
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ENVIAR
STI90N4F3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
STripFET™ III
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2200 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
STI9
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BUK7E8R3-40E,127
FABRICANTE
NXP USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
1749
NÚMERO DE PIEZA
BUK7E8R3-40E,127-DG
PRECIO UNITARIO
0.41
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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