STP16NK65Z
Número de Producto del Fabricante:

STP16NK65Z

Product Overview

Fabricante:

STMicroelectronics

Número de pieza:

STP16NK65Z-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 650V 13A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220

Inventario:

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STP16NK65Z Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
SuperMESH™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
500mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2750 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
STP16N

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
497-4119-5-NDR
-497-4119-5
1805-STP16NK65Z
497-4119-5

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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