Número de Producto del Fabricante:
STP19NB20
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STP19NB20-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 19A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 19A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12880491
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ENVIAR
STP19NB20 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
PowerMESH™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
180mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
STP19N
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
497-2650-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF640PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
1594
NÚMERO DE PIEZA
IRF640PBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.73
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IRF200B211
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
4746
NÚMERO DE PIEZA
IRF200B211-DG
PRECIO UNITARIO
0.51
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
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