STP34NM60ND
Número de Producto del Fabricante:

STP34NM60ND

Product Overview

Fabricante:

STMicroelectronics

Número de pieza:

STP34NM60ND-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220

Inventario:

969 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947842
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

STP34NM60ND Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
FDmesh™ II
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
29A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
110mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
80.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2785 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
STP34

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
497-11335-5
-1138-STP34NM60ND

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
comchip-technology

CMS100N03H8-HF

MOSFET N-CH 30V 100A DFN5X6

unitedsic

UJ4C075018K3S

SICFET N-CH 750V 81A TO247-3

unitedsic

UJ4C075018K4S

SICFET N-CH 750V 81A TO247-4

onsemi

NTMTSC1D6N10MCTXG

MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW