Número de Producto del Fabricante:
STP5N120
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STP5N120-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1200V 4.7A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 4.7A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12877104
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ENVIAR
STP5N120 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
SuperMESH™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.5Ohm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
120 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
160W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
STP5N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
STP5N120-DG
497-8811-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFP6N120P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
171
NÚMERO DE PIEZA
IXFP6N120P-DG
PRECIO UNITARIO
5.19
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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