Número de Producto del Fabricante:
STQ1HNK60R-AP
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STQ1HNK60R-AP-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 400mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventario:
7445 Pcs Nuevos Originales En Stock
12878150
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ENVIAR
STQ1HNK60R-AP Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tape & Box (TB)
Serie
SuperMESH™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
400mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.7V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
156 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92-3
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de producto base
STQ1HNK60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
497-15648-1
STQ1HNK60R-AP-DG
497-15648-3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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