Número de Producto del Fabricante:

STU6N60DM2

Product Overview

Fabricante:

STMicroelectronics

Número de pieza:

STU6N60DM2-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 5A IPAK

Descripción Detallada:

N-Channel 600 V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventario:

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12875925

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STU6N60DM2 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

STMicroelectronics

Embalaje

Tube

Serie

MDmesh™ DM2

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

600 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

5A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

1.1Ohm @ 2.5A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4.75V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

6.2 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±25V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

274 pF @ 100 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

60W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

I-PAK

Paquete / Caja

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Número de producto base

STU6N60

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

3,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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