Número de Producto del Fabricante:
STW11NB80
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STW11NB80-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
12873821
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STW11NB80 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
PowerMESH™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
800mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2900 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
STW11N
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
497-2789-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFR20N80P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXFR20N80P-DG
PRECIO UNITARIO
7.52
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
SPW11N80C3FKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
2520
NÚMERO DE PIEZA
SPW11N80C3FKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.49
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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