Número de Producto del Fabricante:
STW20NM65N
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STW20NM65N-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
12874385
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STW20NM65N Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
MDmesh™ II
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2500 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
160W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
STW20N
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FCH190N65F-F155
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
415
NÚMERO DE PIEZA
FCH190N65F-F155-DG
PRECIO UNITARIO
2.95
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CANTIDAD DISPONIBLE
0
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