Número de Producto del Fabricante:
STW26N65DM2
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STW26N65DM2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
12873398
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ENVIAR
STW26N65DM2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
MDmesh™ DM2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
35.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1480 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
STW26
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
600
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FCH190N65F-F155
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
415
NÚMERO DE PIEZA
FCH190N65F-F155-DG
PRECIO UNITARIO
2.95
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
SCT3120ALGC11
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
6940
NÚMERO DE PIEZA
SCT3120ALGC11-DG
PRECIO UNITARIO
4.30
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
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