Número de Producto del Fabricante:
STW4N150
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STW4N150-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1500V 4A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 1500 V 4A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
12877896
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ENVIAR
STW4N150 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
PowerMESH™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
160W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
STW4N150
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
497-5092-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXTH3N120
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXTH3N120-DG
PRECIO UNITARIO
5.37
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXTH2N170D2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
86
NÚMERO DE PIEZA
IXTH2N170D2-DG
PRECIO UNITARIO
13.59
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXTJ4N150
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
4
NÚMERO DE PIEZA
IXTJ4N150-DG
PRECIO UNITARIO
6.82
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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