Número de Producto del Fabricante:
STW65N023M9-4
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STW65N023M9-4-DG
Descripción:
N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 95A (Tc) 463W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventario:
66 Pcs Nuevos Originales En Stock
13005836
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ENVIAR
STW65N023M9-4 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
95A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
23mOhm @ 48A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8844 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
463W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4
Paquete / Caja
TO-247-4
Número de producto base
STW65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
497-STW65N023M9-4
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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