STWA65N023M9
Número de Producto del Fabricante:

STWA65N023M9

Product Overview

Fabricante:

STMicroelectronics

Número de pieza:

STWA65N023M9-DG

Descripción:

N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 95A (Tc) 463W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads

Inventario:

36 Pcs Nuevos Originales En Stock
13000718
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STWA65N023M9 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
95A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
23mOhm @ 48A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8844 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
463W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247 Long Leads
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
STWA65

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
30
Otros nombres
497-STWA65N023M9

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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