Número de Producto del Fabricante:
STY139N65M5
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STY139N65M5-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 130A MAX247
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 130A (Tc) 625W (Tc) Through Hole MAX247™
Inventario:
12876994
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STY139N65M5 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
MDmesh™ V
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
130A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
17mOhm @ 65A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
363 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
15600 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
625W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
MAX247™
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
STY139
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
497-13043-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPW65R019C7FKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
1042
NÚMERO DE PIEZA
IPW65R019C7FKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
13.43
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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