TSM130NB06LCR
Número de Producto del Fabricante:

TSM130NB06LCR

Product Overview

Fabricante:

Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza:

TSM130NB06LCR-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 10A (Ta), 51A (Tc) 3.1W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5.2x5.75)

Inventario:

12897233
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

TSM130NB06LCR Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta), 51A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2175 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PDFN (5.2x5.75)
Paquete / Caja
8-PowerLDFN
Número de producto base
TSM130

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
TSM130NB06LCRTR
TSM130NB06LCR LRG
TSM130NB06LCRDKR
TSM130NB06LCRCT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
DMT6015LPS-13
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
9988
NÚMERO DE PIEZA
DMT6015LPS-13-DG
PRECIO UNITARIO
0.28
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
TSM130NB06LCR RLG
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
7500
NÚMERO DE PIEZA
TSM130NB06LCR RLG-DG
PRECIO UNITARIO
0.31
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
Productos relacionados
diodes

DMT8012LSS-13

MOSFET N-CH 80V 9.7A 8SO

taiwan-semiconductor

TSM10NC65CF C0G

MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S

taiwan-semiconductor

TSM900N10CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252

taiwan-semiconductor

TSM60N750CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252