Número de Producto del Fabricante:
TSM4NB60CI
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM4NB60CI-DG
Descripción:
600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole ITO-220
Inventario:
12998613
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ENVIAR
TSM4NB60CI Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
500 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ITO-220
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número de producto base
TSM4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
1801-TSM4NB60CI
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFIBC30GPBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
1568
NÚMERO DE PIEZA
IRFIBC30GPBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.22
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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