Número de Producto del Fabricante:
TSM4NB65CP
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM4NB65CP-DG
Descripción:
650V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
13004863
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ENVIAR
TSM4NB65CP Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.37Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13.46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
549 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
TSM4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
1801-TSM4NB65CPTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SPD02N80C3ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
8940
NÚMERO DE PIEZA
SPD02N80C3ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.43
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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