Número de Producto del Fabricante:
TSM4ND65CI
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM4ND65CI-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 41.6W (Tc) Through Hole ITO-220
Inventario:
1845 Pcs Nuevos Originales En Stock
12898671
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ENVIAR
TSM4ND65CI Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.6Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
596 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
41.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ITO-220
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número de producto base
TSM4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
1801-TSM4ND65CI
TSM4ND65CI-DG
TSM4ND65CI RLG
TSM4ND65CI C0G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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