Número de Producto del Fabricante:
TSM650N15CR
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM650N15CR-DG
Descripción:
150V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 4A (Ta), 24A (Tc) 2.6W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventario:
12998790
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ENVIAR
TSM650N15CR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Ta), 24A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
65mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1829 pF @ 75 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.6W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PDFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
TSM650
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
1801-TSM650N15CRTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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