TSM80N950CP
Número de Producto del Fabricante:

TSM80N950CP

Product Overview

Fabricante:

Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza:

TSM80N950CP-DG

Descripción:

800V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventario:

13001021
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

TSM80N950CP Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
950mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
691 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
TSM80

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
1801-TSM80N950CPTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
AOD4S60
FABRICANTE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
7783
NÚMERO DE PIEZA
AOD4S60-DG
PRECIO UNITARIO
0.47
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IPD80R900P7ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
4939
NÚMERO DE PIEZA
IPD80R900P7ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.47
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
SPD04N50C3ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
7723
NÚMERO DE PIEZA
SPD04N50C3ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.57
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
transphorm

TP65H050G4BS

650 V 34 A GAN FET

goford-semiconductor

G08N06S

MOSFET N-CH 60V 5A SOP-8

goford-semiconductor

GT095N10D5

N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15

nexperia

BUK4D38-20PX

SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI