Número de Producto del Fabricante:
CSD13303W1015
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
Número de pieza:
CSD13303W1015-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Descripción Detallada:
N-Channel 12 V 31A (Ta) 1.65W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
Inventario:
46 Pcs Nuevos Originales En Stock
12788613
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CSD13303W1015 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
31A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
20mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.7 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
715 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.65W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-DSBGA (1x1.5)
Paquete / Caja
6-UFBGA, DSBGA
Número de producto base
CSD13303
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Página del producto del fabricante
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
2156-CSD13303W1015
TEXTISCSD13303W1015
296-39990-2
296-39990-1
-296-39990-1-DG
296-39990-6
CSD13303W1015-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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