CSD19506KCS
Número de Producto del Fabricante:

CSD19506KCS

Product Overview

Fabricante:

Texas Instruments

Número de pieza:

CSD19506KCS-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 100A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

175 Pcs Nuevos Originales En Stock
12788600
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CSD19506KCS Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalaje
Tube
Serie
NexFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
12200 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
CSD19506

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Página del producto del fabricante

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
-296-37169-5-DG
296-37169-5
-296-37169-5

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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