Número de Producto del Fabricante:
CSD19506KTTT
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
Número de pieza:
CSD19506KTTT-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
Inventario:
700 Pcs Nuevos Originales En Stock
12788780
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
CSD19506KTTT Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
12200 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (DDPAK-3)
Paquete / Caja
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Número de producto base
CSD19506
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Página del producto del fabricante
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
296-CSD19506KTTTTR
296-CSD19506KTTTDKR
CSD19506KTTT-DG
296-CSD19506KTTTCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
2 (1 Year)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
CSD17310Q5A
MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
CSD17308Q3T
MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
CSD17581Q3AT
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
