Número de Producto del Fabricante:
CSD19535KTTT
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
Número de pieza:
CSD19535KTTT-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 200A (Ta) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
Inventario:
8373 Pcs Nuevos Originales En Stock
12795595
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
CSD19535KTTT Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7930 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (DDPAK-3)
Paquete / Caja
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Número de producto base
CSD19535
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Página del producto del fabricante
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
296-41135-6
296-41135-2
296-41135-1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
2 (1 Year)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
CSD19531Q5AT
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
CSD17552Q5A
MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON
CSD13201W10
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
