Número de Producto del Fabricante:
CSD19537Q3T
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
Número de pieza:
CSD19537Q3T-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 50A (Ta) 2.8W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Inventario:
2462 Pcs Nuevos Originales En Stock
12794827
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ENVIAR
CSD19537Q3T Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
14.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.6V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1680 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.8W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
CSD19537Q3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Página del producto del fabricante
Información Adicional
Paquete Estándar
250
Otros nombres
296-42632-6
2156-CSD19537Q3TTR
296-42632-1
296-42632-2
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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