Número de Producto del Fabricante:
TPS1100PWR
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
Número de pieza:
TPS1100PWR-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 15V 1.27A 8TSSOP
Descripción Detallada:
P-Channel 15 V 1.27A (Ta) 504mW (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Inventario:
12814769
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TPS1100PWR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
15 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.27A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.7V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
180mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+2V, -15V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
504mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TSSOP
Paquete / Caja
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Número de producto base
TPS1100
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Página del producto del fabricante
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
296-13383-2-NDR
-296-13383-1
2156-TPS1100PWR
-296-13383-1-DG
TPS1100PWRG4
-TPS1100PWRG4-NDR
296-13383-1-NDR
-TPS1100PWR-NDR
TPS1100PWRG4-DG
296-13383-1
296-13383-2
TEXTISTPS1100PWR
296-13383-6-NDR
296-13383-6
-TPS1100PWRG4
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
IRF3709ZCSTRL
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
IRL530NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
