Número de Producto del Fabricante:
TPS1101DR
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
Número de pieza:
TPS1101DR-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
Descripción Detallada:
P-Channel 15 V 2.3A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12816372
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ENVIAR
TPS1101DR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
15 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.7V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
90mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11.25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+2V, -15V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
791mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
TPS1101
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Página del producto del fabricante
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
TPS1101DRG4
TPS1101DRG4-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDS6375
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
2121
NÚMERO DE PIEZA
FDS6375-DG
PRECIO UNITARIO
0.32
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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