Número de Producto del Fabricante:
2SA1312GRTE85LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
2SA1312GRTE85LF-DG
Descripción:
TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 100 mA 100MHz 150 mW Surface Mount S-Mini
Inventario:
12891029
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ENVIAR
2SA1312GRTE85LF Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
PNP
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
120 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 2mA, 6V
Potencia - Máx.
150 mW
Frecuencia - Transición
100MHz
Temperatura de funcionamiento
125°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivos del proveedor
S-Mini
Número de producto base
2SA1312
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
Q11724728
2SA1312-GR(TE85L,F
2SA1312GRTE85LFDKR
2SA1312GRTE85LFTR
2SA1312GRTE85LFCT
2SA1312-GR (TE85L,F
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
2SA1163-GR,LF
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
19181
NÚMERO DE PIEZA
2SA1163-GR,LF-DG
PRECIO UNITARIO
0.03
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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