Número de Producto del Fabricante:
2SA1930,ONKQ(J
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
2SA1930,ONKQ(J-DG
Descripción:
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventario:
12890175
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ENVIAR
2SA1930,ONKQ(J Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo de transistor
PNP
Corriente - Colector (Ic) (Max)
2 A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
180 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 1A
Corriente - Corte del colector (máx.)
5µA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 100mA, 5V
Potencia - Máx.
2 W
Frecuencia - Transición
200MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220NIS
Número de producto base
2SA1930
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
2SA1930ONKQ(J
2SA1930ONKQJ
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TTA004B,Q
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
TTA004B,Q-DG
PRECIO UNITARIO
0.12
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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