Número de Producto del Fabricante:
2SD1407A-Y(F)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
2SD1407A-Y(F)-DG
Descripción:
TRANS NPN 100V 5A TO220NIS
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 5 A 12MHz 30 W Through Hole TO-220NIS
Inventario:
12891164
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ENVIAR
2SD1407A-Y(F) Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN
Corriente - Colector (Ic) (Max)
5 A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
100 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
2V @ 400mA, 4A
Corriente - Corte del colector (máx.)
100µA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1A, 5V
Potencia - Máx.
30 W
Frecuencia - Transición
12MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220NIS
Número de producto base
2SD1407
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
MJF31CG
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
231
NÚMERO DE PIEZA
MJF31CG-DG
PRECIO UNITARIO
0.44
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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