2SJ438(AISIN,Q,M)
Número de Producto del Fabricante:

2SJ438(AISIN,Q,M)

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza:

2SJ438(AISIN,Q,M)-DG

Descripción:

MOSFET P-CH TO220NIS
Descripción Detallada:
5A (Tj) Through Hole TO-220NIS

Inventario:

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2SJ438(AISIN,Q,M) Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5A (Tj)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220NIS
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
2SJ438

Información Adicional

Paquete Estándar
1
Otros nombres
2SJ438(AISINQM)
2SJ438AISINQM

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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