Número de Producto del Fabricante:
2SK2845(TE16L1,Q)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
2SK2845(TE16L1,Q)-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 1A DP
Descripción Detallada:
N-Channel 900 V 1A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount PW-MOLD
Inventario:
12891701
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ENVIAR
2SK2845(TE16L1,Q) Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PW-MOLD
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
2SK2845
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXTY1N100P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXTY1N100P-DG
PRECIO UNITARIO
1.61
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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